Институт Физики им.Л.В.Киренского
Победитель конкурса сайтов СО РАН - 2010
Яndex

www.yandex.ru
  Главная
  Офис
  Новости
  Службы
  Семинары
  Достижения
  Научные отчеты
  Лаборатории
  Направления
  Интеграция
  Разработки
  Ученый совет
  Советы по защитам
  Аспирантура
  Конференции
  Конкурсы, Гранты
  Публикации
  Препринты
  Издательство
  Библиотека
  Совет молодых учёных
  Студентам
  Виртлаб
  История
  Фоторепортажи
  Персоналии
  О  Киренском
  Ученики и соратники
  Мемориальный музей
  Бухг-рия, план. отдел
  Download
  Карта  сервера

Электронная структура высокотемпературных сверхпроводников La2-xSrxCuO4 с учетом сильных электронных корреляций

Электронная структура высокотемпературных сверхпроводников La2-xSrxCuO4 рассчитана с учетом сильных электронных корреляций с использованием первопринципного метода LDA+GTB [1]. Эти расчеты позволили получить низкоэнергетический эффективный гамильтониан с параметрами, вычисленными ab initio. В рамках этого гамильтониана проанализирован магнитный механизм куперовского спаривания. Магнитный механизм с первопринципными параметрами гамильтониана в приближении среднего поля дает слишком большие значения критической температуры Tc~200K.

Вывод гамильтониана электрон-фононного взаимодействия при учете сильных электронных корреляций и реальной симметрии смещений ионов [2] позволил развить теорию высокотемпературной сверхпроводимости с одновременным учетом магнитного и фононного механизмов спаривания. Особенность развитого подхода заключается в использовании только одного феноменологического параметра G, определяющего интенсивность электрон-фононного взаимодействия. Электрон-фононное взаимодействие в зависимости от знака G ЭФВ может как подавлять, так и усиливать Tc, обусловленную магнитным механизмом спаривания. В La2-xSrxCuO4 взаимодействие с дыхательной модой фононов доминирует и понижает критическую температуру сверхпроводника d-типа, обусловленную магнитным механизмом сверхпроводимости [3] (рис. 3).

  1. Korshunov M.M., Gavrichkov V.A., Ovchinnikov S.G., Nekrasov I.A., Pchelkina Z.V., Anisimov V.I., Hybrid LDA and generalized tightbinding method for electronic structure calculations of strongly correlated electron systems // Phys.Rev. B. –2005. –72, 165104.
  2. Овчинников С.Г., Шнейдер Е.И., Эффективный гамильтониан для ВТСП купратов с учетом электрон-фононного взаимодействия в режиме сильных корреляций // ЖЭТФ. –2005. –128, №5, 974–986.
  3. Шнейдер Е.И., Овчинников С.Г., Фононный и магнитный механизм ВТСП в режиме сильных электронных корреляций. // Письма в ЖЭТФ, 83, №9, 462–466 (2006).

Лаборатория физики магнитных явлений


© И н с т и т у т Ф и з и к и
им. Л. В. Киренского СО РАН 1998—2012 Для вопросов и предложений

Российская академия наук СО РАН TopList